삼성전자, 2028년 첨단 D램에 High NA EUV 도입 추진
원제: 삼성전자, 2028년 업계 최초 메모리에 High NA EUV 도입
삼성전자가 ASML 주도의 대형 마스크 컨소시엄에 참여해 기존 6인치 포토 마스크를 12인치로 전환하는 기술 개발에 나선다. 포토 마스크는 웨이퍼에 미세 회로 패턴을 새기는 핵심 도구로, 크기가 커지면 패턴을 나눠 연결하는 stitching 제약을 줄여 생산성과 원가 개선이 가능하다. 특히 수백억 개 트랜지스터가 들어가는 첨단 반도체에서 High NA EUV 장비의 성능을 더 온전히 활용할 수 있을 전망이다. 삼성전자는 ASML과 협력을 강화해 2028년까지 업계 최초로 첨단 D램 제조에 High NA EUV를 도입하고, 미세화와 공정 단순화를 동시에 추진한다.
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